特許
J-GLOBAL ID：200903026119160370
磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203336
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】強磁性膜-反強磁性膜間で生じる交換結合バイアス磁界を用いて磁気抵抗効果膜を単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制する方法を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド(MRヘッド)において、強磁性膜をNiFe膜、反強磁性膜をFeMn膜とした場合、バイアス磁界がヘッド加工工程中の熱履歴によって大幅に減少する場合があるという問題を解決し、熱処理によりバイアス磁界の減少をなくし、MRヘッドの特性の安定化を図る。【構成】CoZrMo膜1aの軟磁性膜21、Ta膜2の非磁性膜22、NiFe膜3のMR膜33、FeMn膜4aの反強磁性膜44から構成され、反強磁性膜44の平均結晶粒径を20nm以下にする。また、非磁性膜22の非磁性膜形成後に熱処理を施す。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗性膜と非磁性膜と軟磁性膜と反強磁性膜とからなる磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記反強磁性膜がFeMn合金、或は、前記FeMnにTi,Cr,Ni,Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Hf,Ta,W ,Re,Osの内から選択される少なくとも一種類の元素を添加した合金であり、かつ、前記FeMn合金、或は、前記FeMnにTi,Cr,Ni,Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Hf,Ta,W ,Re,Osの内から選択される少なくとも一種類の元素を添加した合金の平均結晶粒径が20nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
IPC (2件)：
引用特許：
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