特許
J-GLOBAL ID：200903026121904564
厚膜パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250958
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086011
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 厚膜形成材料の除去する部分を少なくし、コストの低減を図る。【構成】 基板1上に所定のパターン形状より若干大きな寸法で厚膜形成材料のパターンを形成した後、所定のパターン形状をしたサブトラクティブ用マスク3を介してサブトラクティブ加工を行うことにより不要部分を除去する。サブトラクティブ用マスク3から若干はみ出した部分の厚膜形成材料を除去することにより目的とするパターン形状の厚膜パターンが得られるので、基板全体に厚膜形成材料を塗布する場合に比べて使用する厚膜形成材料が少なくて済み、不要部分を除去する処理時間も短縮できる。
請求項（抜粋）：
基板上に所定のパターン形状より若干大きな寸法で厚膜形成材料のパターンを形成した後、所定のパターン形状をしたサブトラクティブ用マスクを介してのサブトラクティブ加工により厚膜形成材料の不要部分を除去するようにしたことを特徴とする厚膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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