特許

J-GLOBAL ID：200903026123353654

半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置

発明者： 小杉 亮治 ,  福田 憲司
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-344345
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109396
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができるようにする。【解決手段】 この発明は、絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、絶縁膜形成の一工程として、不活性ガスにより希釈された0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガス雰囲気中での熱処理を含む、ことを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、 上記絶縁膜形成の一工程として、不活性ガスにより希釈された0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガス雰囲気中での熱処理を含む、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/316

FI (1件)：

H01L21/316 P

Fターム (14件)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD09 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330527   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082087   出願人：富士電機株式会社
• 半導体素子の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-316343   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社