特許

J-GLOBAL ID：200903026133090074

半導体装置およびその製造方法

発明者： 保田 広安
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321849
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 不純物の相互拡散を抑制し、なお且つ自己整合的にゲート電極および拡散層表面に高融点金属層を得て動作速度を向上させた、微細かつ安価な半導体装置およびその製造方法を提供できるようにする。【解決手段】 素子分離用酸化膜2が形成された半導体基板1と、ゲート絶縁膜3と、多結晶シリコン膜からなるゲート電極4と、前記ゲート電極4の側面に形成されたサイドウォール絶縁膜8と、前記ゲート電極4上に、不純物拡散防止膜として形成された導電性窒化膜5と、前記半導体基板1に形成された低濃度拡散層7および高濃度拡散層10と、前記導電性窒化膜5および低濃度拡散層7、高濃度拡散層10上に形成されたタングステン膜(高融点金属膜)11とを備える。

請求項（抜粋）：

素子分離領域が形成された半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する第一の工程と、前記第一の工程後、前記半導体基板上に多結晶シリコン膜を形成する第二の工程と、前記第二の工程後、前記多結晶シリコン膜上に導電性窒化膜を形成する第三の工程と、前記多結晶シリコン膜および導電性窒化膜をゲート電極形状に加工する第四の工程と、前記第四の工程後、前記半導体基板にソース/ドレイン拡散層を形成する第五の工程と、前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁膜を形成する第六の工程と、前記第六の工程後、前記半導体基板上および前記導電性窒化膜上に高融点金属膜を形成する第七の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 R