特許

J-GLOBAL ID：200903026134173330

導電層接続構造およびその製造方法

発明者： 奥平 智仁 ,  柏原 慶一朗 ,  常峰 美和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235378
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079481
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 シリコンと白金族元素との相互拡散が高温度に加熱されても起こらないバリア層を有する導電層接続構造を提供する。【解決手段】 この発明の導電層接続構造は、ドープトポリシリコンを含むプラグ11と、そのプラグ11の上に形成された、チタンとシリコンと窒素とを含むバリア層14aと、そのバリア層14aの上に形成された、白金を含む下部電極層15とを備えている。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む第1の導電層と、その第1の導電層の上に形成された、高融点金属とシリコンと窒素とを含む第2の導電層と、その第2の導電層の上に形成された、白金族元素を含む第3の導電層とを備えた、導電層接続構造。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/04 C