特許
J-GLOBAL ID:200903026143779232
シンチレーション材料
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-043323
公開番号(公開出願番号):特開2003-253255
出願日: 1998年05月27日
公開日(公表日): 2003年09月10日
要約:
【要約】【課題】 原子核物理学、医学、石油産業、すなわち、X線放射、γ放射、α放射の測定、人間の居住環境における超ウラン核種の制御、重い物体の構造の非破壊制御、三次元陽電子電子コンピュータ断層撮影法などに関する。【解決手段】 セリウムCeを含み、構造型Lu2SiO5で結晶化するオキソオルトケイ酸塩の結晶をベースとするシンチレーション材料の化学組成における追加の成分にある。ルミネセンスの光出力が増加し、Ce3+イオンのルミネセンス時間が減少し、成長結晶の諸特性の再現性を高め、大量のLu2O3を含むシンチレーション結晶を成長させる溶融ストックのコストを下げ、ガラス導波路ファイバへのシンチレーション結晶ルミネセンス放射の導入の効果を高め、素子の製造中の結晶のクラッキングを防ぎ、シンチレーション素子の導波特性を作り出し、横表面の高価な機械研磨をなくすことである。
請求項(抜粋):
ルテリウム(Lu)とセリウム(Ce)を含むケイ酸塩結晶をベースとするシンチレーション材料であって、結晶の組成が以下の化学式で表され、Lu1-yMeyA1-xCexSiO5上式で、Aは、LuとGd、Se、Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybからなるグループから選択された少なくとも1つの元素であり、Meは、Ti、Zr、Sn、Hf、As、V、Nb、Sb、Ta、Mo、Wからなるグループから選択された少なくとも1つの元素であり、xは、1×10-4f.u.と0.2f.u.の間の値であり、yは、1×10-5f.u.と0.05f.u.の間の値であることを特徴とするシンチレーション材料。
IPC (5件):
C09K 11/00
, C09K 11/79 CPR
, C30B 15/00
, C30B 29/34
, G01T 1/202
FI (5件):
C09K 11/00 E
, C09K 11/79 CPR
, C30B 15/00 Z
, C30B 29/34 Z
, G01T 1/202
Fターム (88件):
2G088EE01
, 2G088EE02
, 2G088EE30
, 2G088FF02
, 2G088FF04
, 2G088FF07
, 2G088GG10
, 2G088JJ37
, 4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BD15
, 4G077CF10
, 4G077EC02
, 4G077HA15
, 4G077PA16
, 4H001CA08
, 4H001XA01
, 4H001XA03
, 4H001XA04
, 4H001XA05
, 4H001XA06
, 4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA11
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA14
, 4H001XA15
, 4H001XA16
, 4H001XA17
, 4H001XA19
, 4H001XA20
, 4H001XA21
, 4H001XA22
, 4H001XA23
, 4H001XA24
, 4H001XA25
, 4H001XA26
, 4H001XA27
, 4H001XA28
, 4H001XA29
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA33
, 4H001XA34
, 4H001XA37
, 4H001XA38
, 4H001XA39
, 4H001XA40
, 4H001XA41
, 4H001XA42
, 4H001XA44
, 4H001XA45
, 4H001XA46
, 4H001XA47
, 4H001XA48
, 4H001XA49
, 4H001XA50
, 4H001XA51
, 4H001XA55
, 4H001XA56
, 4H001XA57
, 4H001XA58
, 4H001XA59
, 4H001XA60
, 4H001XA62
, 4H001XA63
, 4H001XA64
, 4H001XA65
, 4H001XA66
, 4H001XA67
, 4H001XA68
, 4H001XA69
, 4H001XA70
, 4H001XA71
, 4H001XA72
, 4H001XA73
, 4H001XA74
, 4H001XA75
, 4H001XA76
, 4H001XA77
, 4H001XA78
, 4H001XA79
, 4H001XA80
, 4H001XA81
, 4H001XA82
, 4H001XA83
, 4H001XA89
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
米国特許第4,958,080号明細書
-
欧州特許ER0456002B1号明細書
-
米国特許第5,264、154号明細書
前のページに戻る