特許

J-GLOBAL ID：200903026147704059

試験中の表面上の多数の位置における画像を観察する装置およびそれらの位置の容量を観察する方法

発明者： フランソア・ジェイ・ヘンリィ
出願人/特許権者： フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-027428
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 表面上の多数の導電性領域の位置の関数として容量を電気光学的に検出することである。【構成】 高導電度物質の帯を有する、組立てられていない簡単なマトリックス液晶表示(LCD)パネルを、試験中のパネル(PUT)の表面の近くに置かれている、NCAP変調器またはその他の液晶を分散されたポリマーをベースとする装置のような変調器の照明により、その表面上の容量分布の二次元画像を取り出すことにより、試験する。試験中のパネルの表面と、試験中のパネルの表面上の空間的に対応する容量状態を直接表す二次元の空間的に依存するパワー変調画像を直接に発生するために使用するために、面積光センサ(カメラのような)を通じて観察できる光エネルギーをパワー変調させる光変調器の向き合う面の間の間隙の間で容量の測定が行われるように、長手方向プローピングジオメトリを許すために光変調器が配置される。

請求項（抜粋）：

試験中の表面上の、容量またはインダクタンスの違いにより識別可能である、多数の位置における画像を観察する装置において、光エネルギーを発生する手段と、前記光エネルギーを任意の偏光状態にある入力ビームにする手段と、第1の面と、長手方向の探索ジオメトリを許す向きで前記第1の面と反対側の第2の面とを有する電気光学的変調器手段と、検出手段と、を備え、前記第1の面はバイアス基準へ電気的に結合される導電性被覆を有し、前記バイアス基準は前記変調器手段の光透過率を前記試験中のパネルの導電性領域に隣接する点における容量に比例して高くするために設定され、前記第2の面は前記試験中のパネルの前記表面の区域に隣接するように配置され、出力ビーム中で前記入力ビームに沿う空間的に依存する変調を行わせるために、前記第1の面を通って前記変調器手段へ向けられて、前記表面の前記区域に隣接する間隙を横切って前記第2の面に入射する前記入力ビームの少なくとも一部を遮断するように前記変調器手段は向けられ、前記変調は、前記表面上のより高い実効容量の位置における高い透過率として示され、かつ前記表面上のより低い実効容量の領域における低い透過率として示され、前記検出手段は前記出力ビームを横切る画像中の変調を検出して前記表面を分析することを特徴とする試験中の表面上の多数の位置における画像を観察する装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭43-006879
  
• 特公昭50-029149