TiO単結晶薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-199796
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】【課題】TiO単結晶薄膜を得る。【解決手段】 MgO単結晶基板上にTiを真空蒸着し、この後基板を加熱することによりMgO基板上に岩塩型の結晶構造を持ち金属的な導電性を有するTiOを単結晶薄膜として製造する。

請求項（抜粋）：

岩塩型結晶構造を持ち、金属的な導電性を有し、MgO単結晶基板上にTiとMgOの界面反応により形成されたTiO単結晶薄膜。

Fターム (5件)：

4G077AA03 , 4G077BB04 , 4G077ED06 , 4G077FE19 , 4G077HA05

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