特許

J-GLOBAL ID：200903026159540280

半導体装置

発明者： 山岸 和夫
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167070
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 パワーMOSFETにおいて転流dVDS/dTの破壊耐量を向上させる。【構成】 パワーMOSFETのゲート電極パッド下部において、N-ドレイン層1上に直接酸化膜10を介しポリシリコンゲート5と接続したゲート電極パッド7を形成する。【効果】 ゲート電極パッド下のPウエルがないので、パワーMOSFETをスイッチング動作させた場合、オフ時に発生するゲート電極パッド下のPウエルからの周辺セルへのキャリヤ注入がなくなり、これによる電流集中もなくなり、dVDS/dtの破壊耐量が向上する。

請求項（抜粋）：

パワーMOSFETのゲート電極パッド部の構造において、ドレインとして作用する基板上に酸化膜を介しゲート電極材料を配し、その上にゲート電極パッドを形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-224074
  
• 特開昭59-072175
  
• 特開昭60-124872
  
• 特開昭62-115875