基質表面におけるカーボンナノチューブの低温直接合成法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-289670
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277034
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】基質表面におけるカーボンナノチューブの低温直接合成法【解決手段】本発明は、三つの金属層を持つ基質の表面に低温熱化学蒸着法によりカーボンナノチューブを直接成長させ、電界放出ディスプレーの電子放出源として使うことに関わっている。この三つの金属層は、基質の上に厚い金属担体層と、その上の金属触媒層及び金属被覆層からなる。金属触媒は鉄、コバルト、ニッケルやこれらの合金であり、金属担体層と金属被覆層は金、銀、銅、パラジウム、白金やこれらの合金である。三つの金属層は真空スパッタリング法、化学蒸着法、物理蒸着法、スクリーンプリント法や電気メッキで形成することができる。

請求項（抜粋）：

A)基材に金属担体層を形成し、B)該金属担体層に金属触媒層を形成し、C)該金属触媒層に金属被覆層を形成し、D)熱化学蒸着法により炭素源ガスを用い、基材の該金属担体層、該金属触媒層、該金属被覆層を有する面にカーボンナノチューブを成長させるプロセスを有し、該金属担体層と該金属被覆層との厚みは、それぞれ0.1〜50μmであるが、該金属担体層は該金属被覆層より厚く、該金属担体層は貴金属を含み、該金属被覆層は貴金属を含み、該金属触媒層には鉄、コバルト、ニッケル及びこれらの金属の合金からなる金属を含むことを特徴とする基材におけるカーボンナノチューブの低温直接合成法。

IPC (5件)：

C01B 31/02 101 , B82B 3/00 , C23C 14/14 ZNM , C23C 16/26 , H01J 9/02

FI (5件)：

C01B 31/02 101 F , B82B 3/00 , C23C 14/14 ZNM G , C23C 16/26 , H01J 9/02 B

Fターム (45件)：

4G146AA11 , 4G146AB05 , 4G146AD29 , 4G146BA12 , 4G146BB23 , 4G146BC03 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC44 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA04 , 4K029BA05 , 4K029BA06 , 4K029BA08 , 4K029BA09 , 4K029BA12 , 4K029BA13 , 4K029BB02 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K030AA09 , 4K030BA01 , 4K030BA05 , 4K030BA07 , 4K030BA14 , 4K030BA27 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 5C127BA09 , 5C127BA13 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127CC10 , 5C127DD07 , 5C127DD12 , 5C127DD13 , 5C127DD18 , 5C127DD19 , 5C127DD25 , 5C127EE15

引用特許：

出願人引用 (2件)

欧州特許第1061041A1号明細書
欧州特許第1061043A1号明細書

審査官引用 (8件)

低圧-DC-熱化学蒸着法を利用したカーボンナノチューブ垂直配向蒸着方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-073546 出願人：三星エスディアイ株式会社, 李永照
熱化学気相蒸着装置及びこれを用いたカーボンナノチューブの低温合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-179984 出願人：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
カーボンソースガス分解用触媒金属膜を用いたカーボンナノチューブの低温合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-178515 出願人：李鉄真, 株式会社日進ナノテック

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