特許

J-GLOBAL ID：200903026173125482

光起電力素子及びその製造方法

発明者： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318415
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163953
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体粒子に用いた光起電力素子であって、用いる半導体粒子の形状及びサイズの精密な制御が必要でなく、かつ簡易な工程で製造することのできる光起電力素子を得る。【構成】 第1の電極層である金属膜2にシリコン粒子3を固定し、シリコン粒子3の周囲を透光性のSiO2 層4で覆い、シリコン粒子3の上方部表面にシリコン粒子内部と逆の導電型の半導体層3aを形成し、その上に第2の電極層である透明導電膜5を形成する。【効果】 第1の電極層である金属膜2の表面で反射した光をシリコン粒子3の側面から吸収することができ、光電変換効率を向上することができる。

請求項（抜粋）：

第1の電極層と;前記第1の電極層上に電気的に接続状態を保ち固定される一導電型の半導体粒子と;前記半導体粒子の上方部表面以外の部分を埋め込むように前記第1の電極層上に設けられる透光性の絶縁物層と;前記半導体粒子の上方部表面の近傍にイオンドープすることにより形成される他導電型の半導体層、または前記半導体粒子の上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して形成される他導電型の半導体層と;前記他導電型の半導体層上に形成される第2の電極層とを備える、光起電力素子。