半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295727
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147398
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】MOS型トランジスタにおいて生じるホットエレクトロン効果を抑止するための半導体装置の製造方法に関する。【構成】半導体基板11上にゲート絶縁膜12,ポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層を選択的にエッチング・除去して、ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクにして、不純物を前記半導体基板11に注入して、前記ゲート電極の両側にソース/ドレイン領域15,16を形成する工程と、前記ゲート電極14の上に防護膜17を選択形成する工程と、前記防護膜17及びゲート電極14をマスクにし、前記ソース/ドレイン領域15,16を介して前記半導体基板11と前記ゲート絶縁膜12との界面にフッ素イオンを注入する工程とを有すること。

請求項（抜粋）：

半導体基板(11)上にゲート絶縁膜(12),ポリシリコン層(13)を形成する工程と、前記ポリシリコン層(13)を選択的にエッチング・除去して、ゲート電極(14)を形成する工程と、前記ゲート電極(14)をマスクにして、不純物を前記半導体基板(11)に注入して、前記ゲート電極(14)の両側にソース/ドレイン領域(15,16)を形成する工程と、前記ゲート電極(14)の上に防護膜(17)を選択形成する工程と、前記防護膜(17)及びゲート電極(14)をマスクにし、前記ソース/ドレイン領域(15,16)を介して前記半導体基板(11)と前記ゲート絶縁膜(12)との界面にフッ素イオンを注入する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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