特許
J-GLOBAL ID：200903026187650954
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161319
公開番号（公開出願番号）：特開平6-003803
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 位相シフトマスクの製造方法、特に、ライン・アンド・スペースパターンを形成する透過型位相シフトマスクの製造方法に関し、意図する寸法のパターンを安定して形成することのできる位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 透光性基板1上に、位相シフタ形成領域に開口3を有するエッチング用マスク2を形成し、このエッチング用マスク2の開口3に対応する領域の透光性基板1をエッチングして、式0.99do≦d≦1.05dodo=λ/2(n-1)但し、λは露光光の波長であり、nは透光性基板の屈折率である。を満足する深さdの凹部4を形成し、次いでエッチング用マスク2を除去し、透光性基板1の全面をエッチングする。
請求項（抜粋）：
透光性基板(1)上に、位相シフタ形成領域に開口(3)を有するエッチング用マスク(2)を形成し、該エッチング用マスク(2)の開口(3)に対応する領域の前記透光性基板(1)をエッチングして、式0.99do≦d≦1.05dodo=λ/2(n-1)但し、λは露光光の波長であり、nは透光性基板の屈折率である。を満足する深さdの凹部(4)を形成し、前記エッチング用マスク(2)を除去し、前記透光性基板(1)の全面をエッチングする工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
