フォトリソグラフィによるパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-523886
公開番号（公開出願番号）：特表平10-513572
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】200サブnm範囲のパターンをフォトリソグラフィにより形成する方法では基板上に光学バンF間隔<1eVを有する非晶質水素含有炭素(a-C:H)から成る層又はスパッタされた非晶質炭素(a-C)から成る層をボトムレジストとして施す(層厚≦500nm)。このボトムレジストに電子線に敏感なシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジストをトップレジストとして備える(層厚≦50nm)。このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡(STM)又は走査型力顕微鏡(SFM)により≦80eVのエネルギーの電子でパターン化し、このパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに及びその後のプラズマエッチングにより基板に転写する。

請求項（抜粋）：

200サブnm範囲のパターンをフォトリソグラフィにより形成する方法において、基板上に1eV以下の光学バンド間隔を有する非晶質水素含有炭素(a-C:H)から成る層又はスパッタリングによる非晶質炭素(a-C)から成る層を≦500nmの層厚のボトムレジストとして施し、このボトムレジストに電子線に敏感なシリコン含有又はシリル化可能のフォトレジストを層厚≦50nmのトップレジストとして備え、このトップレジストを走査型トンネル顕微鏡法又は走査型力顕微鏡法により≦80eVのエネルギーの電子でパターン化し、このパターンを異方性酸素プラズマでのエッチングによりボトムレジストに及びその後のブラズマエッチングにより基板に転写することを特徴とするフォトリソグラフィによるパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 502 , G03F 7/20 504 , G03F 7/38 512 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/11 502 , G03F 7/20 504 , G03F 7/38 512 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 541 P , H01L 21/30 573

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