特許

J-GLOBAL ID：200903026189105775

多結晶シリコン膜及び半導体装置

発明者： 谷川 明男 ,  奥村 展
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054434
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 ドーパントの拡散・析出、界面・表面準位、移動度などの、トランジスタ特性に関係する特性に優れ、またその制御性に優れた多結晶シリコン膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 非晶質層上の多結晶シリコン膜において、該非晶質層との界面近傍に任意の優先配向の比率が相対的に大きい層領域を設け、表面に向かって該層領域より該優先配向の比率が小さく且つその変化が乏しい或いは一定の層領域を設け、さらに表面に向かって該優先配向の比率が増加する層領域を設ける。

請求項（抜粋）：

非晶質層上の多結晶シリコン膜であって、該非晶質層との界面近傍に任意の優先配向の比率が相対的に大きい層領域を有し、表面に向かって該層領域より該優先配向の比率が小さく且つその変化が乏しい或いは一定の層領域を有し、さらに表面に向かって該優先配向の比率が増加する層領域を有することを特徴とする多結晶シリコン膜。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 620