特許

J-GLOBAL ID：200903026194179337

半導体ウエハー及びその検査方法

発明者： 田原 浩樹 ,  伯田 達夫 ,  浅黄 攻 ,  十河 啓子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011306
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206383
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高密度実装されたICでも、その電気的諸特性を容易に検査、測定できる半導体ウエハー及びその検査方法を得ることを目的とする。【構成】所定の配列でICが形成された半導体ウエハー1Aにおいて、ダイシングライン3、3A及び4、4Aで囲まれたセクション6AのIC表面の周辺に電極用パッド7Aを形成すると共に、これらに対応して、IC形成面とは反対側の2本のダイシングライン3、3A及び4、4Aに挟まれた区域にテスト用パッド8を形成し、これらにテストピンを接触させて電気的諸特性を検査、測定する。【効果】従来技術のICの電極用パッドの大きさ、ピッチと同等程度にテスト用パッドを形成できるので、それらのICの検査、測定が容易にできる。

請求項（抜粋）：

所定の配列のセクションに同一の半導体集積回路が形成された半導体ウエハーにおいて、該各セクション毎に所定の配列で形成された複数の電極用パッドに対応して、該各電極用パッドの半導体集積回路形成面とは反対側で相隣るダイシングラインの間にテスト用パッドを所定の配列で形成したことを特徴とする半導体ウエハー。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-144932
  
• 特開平2-211648
  
• 特開平2-235356