特許

J-GLOBAL ID：200903026195836536

低誘電率膜のダメージ回復法

発明者： 永野 修次 ,  羽坂 智 ,  井上 實
出願人/特許権者： 大陽日酸株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-022969
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210774
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】SiOC膜などのシリコン系の低誘電率膜がプラズマ処理に伴って受けたダメージを回復する方法を得ることにある。【解決手段】ダメージを受けたシリコン系の低誘電率膜に対して、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で接触させる。接触を加熱下で行うことあるいは接触をプラズマ雰囲気下で行うことが好ましい。回復剤には、例えばSiH4,Si2H6、CH4,C2H6,C3H8,が用いられる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、ダメージを受けたシリコン系低誘電率膜に対して、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で接触させることを特徴とする低誘電率膜のダメージ回復法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/90 J ,  H01L21/302 104H

Fターム (17件)：

5F004AA07 ,  5F004DA00 ,  5F004DB00 ,  5F004DB24 ,  5F004FA08 ,  5F033QQ12 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BE04 ,  5F058BJ02