特許
J-GLOBAL ID：200903026196681560
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195586
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041532
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】スパッタリングでカルコパイライト型三元系化合物薄膜を形成する場合、プラズマ中のArの埋没などによる膜質の低下, 高エネルギーのI族原子によるIII 族原子のたたき出しによる組成の変化を防止する。【構成】スパッタリングのためのグロー放電をターゲツトとその上のメッシュ電極の間に発生させることにより、あるいはイオンビームスパッタリング, 対向ターゲツト型スパッタリングを用いることにより膜成長表面をプラズマにさらされないようにする。また、例えばCu, In, Seの各単一ターゲツトを用いてスパッタするときに、Cu, In, Seの順にスパッタすることを繰り返すことにより、既に付着したInはCuによってたたき出されることがない。
請求項（抜粋）：
基板上に膜成長表面がプラズマにさらされないスパッタリング法により成膜したカルコパイライト型三元系化合物薄膜とその薄膜と接合を形成する別の薄膜とを積層することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C01G 15/00
, H01L 21/203
