特許
J-GLOBAL ID:200903026201674063

電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 奥村 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-354061
公開番号(公開出願番号):特開2001-172754
出願日: 1999年12月14日
公開日(公表日): 2001年06月26日
要約:
【要約】【課題】 高静電容量を持つ電解コンデンサ用電極箔が得られる高純度アルミニウム箔の製造方法を提供する。【解決手段】 純度99.97%以上のアルミニウム鋳塊を準備する。この鋳塊に、均質化処理を施した後、熱間加工率99.2〜99.8%の条件で熱間圧延を施す。その後、冷間圧延途中に中間焼鈍を施すことなく、冷間加工率75.0〜97.0%の条件で冷間圧延を施す。最後に、最終焼鈍を施して電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔を得る。具体的な方法としては、以下の方法を挙げることができる。厚さ400〜600mmのアルミニウム鋳塊に、均質化処理を施した後、熱間圧延を施して、厚さ1.3〜3.0mmの熱間圧延上がり板を得る。これに、途中に中間焼鈍を施すことなく冷間圧延を施して、厚さ0.09〜0.30mmの冷間圧延上がりアルミニウム箔を得る。この箔に、最終焼鈍を施して電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔を得る。
請求項(抜粋):
純度99.97%以上のアルミニウム鋳塊に、均質化処理を施した後、熱間加工率99.2〜99.8%の条件で熱間圧延を施し、その後、冷間圧延途中に中間焼鈍を施すことなく、冷間加工率75.0〜97.0%の条件で冷間圧延を施し、次いで最終焼鈍を施すことを特徴とする電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔の製造方法。
IPC (10件):
C22F 1/04 ,  H01G 9/055 ,  C22C 21/00 ,  C22F 1/00 622 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 680 ,  C22F 1/00 686 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 ,  C22F 1/00 694
FI (10件):
C22F 1/04 K ,  C22C 21/00 H ,  C22F 1/00 622 ,  C22F 1/00 661 Z ,  C22F 1/00 680 ,  C22F 1/00 686 Z ,  C22F 1/00 691 A ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 694 A ,  H01G 9/04 337
引用特許:
出願人引用 (4件)
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