特許
J-GLOBAL ID：200903026204213229
レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258086
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162097
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】850nmより高い波長範囲で偏光をした光を放射する半導体レーザを提供する。【構成】 レーザダイオードであって、(a)第1の格子定数と第1のバンドギャップとを有するGaAsの結晶基体、(b)前記基体上に堆積されI-V族アロイを含む結晶性活性層(それは、歪みが付与されないとき第2のバンドギャップと前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有するものであり、更に、前記基体上に堆積されたとき歪みが付与され、その歪みが付与されたときに第1のバンドギャップよりも小さい第3のバンドギャップを有する)、及び(c)キャリヤを活性層に注入し、それによって第1のバンドギャップを有する材料のレーザ放射の波長を越える波長で活性層中でのレーザ放射を引き起こする電極を有するレーザダイオード。
請求項（抜粋）：
レーザダイオードであって、(a)第1の格子定数と第1のバンドギャップとを有するGaAsの結晶基体、(b)前記基体上に堆積されIII-V族アロイを含む結晶性活性層であって、歪みが付与されないとき第2のバンドギャップと前記第1の格子定数よりも小さい第2の格子定数を有するものであり、更に、前記基体上に堆積されたとき歪みが付与され、その歪みが付与されたときに第1のバンドギャップよりも小さい第3のバンドギャップを有する活性層、及び(c)キャリヤを活性層に注入し、それによって第1のバンドギャップを有する材料のレーザ放射の波長を越える波長で活性層中でのレーザ放射を引き起こする電極を有するレーザダイオード。
引用特許：
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