特許

J-GLOBAL ID：200903026204714171

面型半導体光デバイスおよびその作製方法

発明者： 古川 幸生
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-189647
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012981
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】汎用性の高い多層反射膜を備え、生産性が良く、歩留まりの良い面型半導体光デバイスおよびその作製方法である。【解決手段】面型半導体光デバイスは半導体多層膜17、18、21、半導体多層膜17、18、21の積層方向の少なくとも一方の側に設けられた多層反射膜31、63を備える。一方の多層反射膜63が少ない層数の半導体層と気体層の周期構造から成る。

請求項（抜粋）：

半導体多層膜、該半導体多層膜の積層方向の少なくとも一方の側に設けられた多層反射膜を有する面型半導体光デバイスにおいて、前記多層反射膜が半導体層と気体層の周期構造から成ることを特徴とする面型半導体光デバイス。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 F

Fターム (18件)：

5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB22 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AB06 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA03 ,  5F073EA23