特許

J-GLOBAL ID：200903026208364264

半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置

発明者： 柳ケ瀬 雅司 ,  今本 浩史 ,  高橋 敏幸
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186275
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032111
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 薄い高抵抗層を設けることにより信頼性の高い発光効率のよい半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaInP下クラッド層2、p--GaInP活性層3、p-AlGaInP上クラッド層4、下側のp-AlGaAs電流拡散層5、高抵抗層6、上側のp-AlGaAs電流拡散層5を順次結晶成長させる。このとき、高抵抗層6は、ドーパントをZnからMgに一時的に変えることにより形成できる。【効果】 p側電極からの注入電流は、高抵抗層によって断面横方向に十分に拡散され、活性層のほぼ全域に注入される。高抵抗層は薄い層から作成されるので、発光素子の電気抵抗が大きくならず注入電流を大きくすることができる。また、薄い層であるので結晶性に優れた半導体層を形成できる。

請求項（抜粋）：

基板の上方に活性層が形成され、活性層上に複数の半導体層が積層され、当該半導体層上に部分的に表面電極が形成され、基板の下方に裏面電極が形成された表面出射型の半導体発光素子において、活性層と表面電極との間の前記半導体層内に高抵抗層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18