特許

J-GLOBAL ID：200903026208894093

マスク描画データの作成方法

発明者： 浜元 剛 ,  外岡 要治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230438
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045780
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 多角形のパターンを矩形に分割して電子線描画を行う電子線露光用マスクのマスク描画データの作成方法において、半導体装置において特に形状精度を要求される領域に相当するマスク描画データから微小図形を除去し、この領域に相当するマスクのパターンの形状精度を向上させることができるマスク描画データの作成方法を提供する。【解決手段】 マスクに形成する予定のパターン1を矩形に分割し、このパターン1から選択領域7を選択し、選択領域7内に微小図形がある場合には選択領域7を複数の矩形8乃至10に再分割する。選択領域7はトランジスタのゲート電極、コンタクト又はビアが形成される領域とする。

請求項（抜粋）：

多角形のパターンを矩形に分割して電子線描画を行う電子線露光用マスクのマスク描画データの作成方法において、前記パターンの一部であって形状精度が必要な領域を選択領域とすると共に残部であって前記選択領域よりも形状精度が低くてもよい領域を非選択領域として前記パターンの形状を示すレイアウトデータを選択領域データと非選択領域データとに分割する工程と、前記選択領域を最短の辺の長さが基準値以上である複数の矩形に分割して前記選択領域データを複数の矩形データに分割する工程と、前記複数の矩形データに分割された選択領域データと非選択領域データとを再統合する工程と、を有することを特徴とするマスク描画データの作成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  G06F 17/50 658

FI (5件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E ,  G03F 7/20 504 ,  G06F 17/50 658 M ,  H01L 21/30 541 J

Fターム (15件)：

2H095BA09 ,  2H095BB01 ,  2H095BB10 ,  2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5F056AA13 ,  5F056CA02 ,  5F056CA05 ,  5F056CA17 ,  5F056FA05 ,  5F056FA08