特許
J-GLOBAL ID：200903026208994497
超格子アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232443
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 メサ型超格子アバランシェフォトダイオードで問題となる表面リーク暗電流を低減し、低暗電流・高信頼な超格子アバランシェフォトダイオードを実現する。【構成】 p+ 型InP基板に、p- 型InGaAs光吸収層、p型InP電界緩和層、アンドープn- 型InAlAs/InAlGaAs超格子増倍層、n+型InPキャップ層、n+ 型InGaAs(P)コンタクト層を順次積層した構造を有する超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、超格子増倍層、n+型InPキャップ層、n+ 型InGaAs(P)コンタクト層のみをエッチング除去して形成したメサを、p- 型InPもしくはp- 型InAlAsで埋め込んだ構造を有する。
請求項（抜粋）：
メサ型の超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、メサを構成する超格子増倍層、n+ 型InPキャップ層、n+ 型InGaAs(P)コンタクト層が、p- 型InPもしくはp- 型InAlAsで埋め込まれていることを特徴とする超格子アバランシェフォトダイオード。
引用特許：
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