特許
J-GLOBAL ID：200903026211429431
半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269254
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098038
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】薄いシリコン酸化膜を安定して加湿酸化法にて形成し得る、半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】水蒸気を含む気体雰囲気中でシリコン半導体基板等の基体を酸化することによってシリコン酸化膜を形成する方法は、少なくとも水素及び酸素を含む気体に電磁波を照射することによって水蒸気を生成させる。電磁波は、例えば周波数2.45GHzのマイクロ波であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
水蒸気を含む気体雰囲気中で基体を酸化することによってシリコン酸化膜を形成する方法であって、少なくとも水素及び酸素を含む気体に電磁波を照射することによって水蒸気を生成させることを特徴とする半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法。
引用特許：
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