半導体光増幅器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井出直孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174383
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】利得クランプ半導体光増幅器の高飽和利得特性を活かしつつ、雑音特性の良い半導体光増幅器を実現する。【解決手段】二段階の半導体光増幅器を一体に形成し、一段目の半導体光増幅器では、雑音特性の良好な光増幅を行い、二段目の半導体光増幅器では、利得クランプ半導体光増幅器による高飽和利得特性を活かしつつ光増幅を行う。

請求項（抜粋）：

半導体光導波路の信号光λs の入射端から出射端方向に、励起キャリアにより信号光λs を誘導放出する手段を含む第一の利得領域と、レーザ発振光λ0 に共振する手段を含む第一の光反射領域と、励起キャリアにより信号光λs を誘導放出する手段を含む第二の利得領域と、レーザ発振光λ0 に共振する手段を含む第二の光反射領域とが当該順序で形成されたことを特徴とする半導体光増幅器。

Fターム (3件)：

5F073AA65 , 5F073AA83 , 5F073BA03

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