特許
J-GLOBAL ID：200903026215466714
半導体装置の製造方法,半導体装置の断面形状評価装置及び評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191580
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013446
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 凸あるいは凹状の形状を再現性良く作成し、特性にばらつきのない半導体装置の製造方法及び、逆メサ形状の底面部の線幅を測定することができる半導体装置の断面形状評価装置及び方法を提供する。【構成】 エッチングされるクラッド層5中にこれよりもバンドギャップの広いエッチングストッパ層6を設け、ウエハ33にレーザ光を照射しつつエッチングを行い、エッチングストッパ層6の消失とともに急激にフォトルミネッセンス光の光強度が上昇するのを受光器37でモニタし、この点をもってエッチング終了とする。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に複数の半導体層を積層し、ウエットエッチングにより所望の半導体層を断面逆台形のストライプ状に形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング対象となる半導体層中にこれよりもバンドギャップの広い半導体層を設け、ウエハにレーザ光を照射して励起されるフォトルミネッセンス光の光強度をモニタしつつウエットエッチングを行い、上記光強度が最小となった後に急激に増加する点をエッチング終了点として判断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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