特許

J-GLOBAL ID：200903026217456627

シリコン含有2層レジストの剥離方法

発明者： 安波 昭一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-141450
公開番号（公開出願番号）：特開2001-324821
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 基板上に有機高分子化合物を含む第1レジスト層と感光性シリコン含有第2レジスト層からなるシリコン含有2層レジストを用いるデバイス製造工程において、第2レジスト層をパターニングした後で、リワーク等のために、レジスト剥離時のウェハ上の欠陥の発生を著しく低減しつつ、上記2層レジストを剥離する方法を提供する。【解決手段】 基板上に有機高分子化合物を含む第1レジスト層を塗設し、この上にシリコン原子を含有する感光性の第2レジスト層を塗設し、第2レジスト層を露光、現像によりパターン形成した後に、第1レジスト層および第2レジスト層を剥離する方法において、主成分としてN-メチルピロリドンからなる溶液を用いて第2レジスト層の湿式剥離処理を行ない、次に、酸素又は酸素を含む混合ガスを用いて第1レジスト層のアッシング処理を行なうことを特徴とするシリコン含有2層レジストの剥離方法。

請求項（抜粋）：

基板上に有機高分子化合物を含む第1レジスト層を塗設し、この上にシリコン原子を含有する感光性の第2レジスト層を塗設し、第2レジスト層を露光、現像によりパターン形成した後に、第1レジスト層及び第2レジスト層を剥離する方法において、主成分としてN-メチルピロリドンからなる溶液を用いて第2レジスト層の湿式剥離処理を行ない、次に、酸素又は酸素を含む混合ガスを用いて第1レジスト層のアッシング処理を行なうことを特徴とするシリコン含有2層レジストの剥離方法。

IPC (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

Fターム (16件)：

2H096AA25 ,  2H096KA02 ,  2H096LA03 ,  2H096LA08 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043CC01 ,  5F043CC16 ,  5F043CC20 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17 ,  5F046NA01