特許
J-GLOBAL ID:200903026219832570

無機レジスト描画装置及び描画方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-205232
公開番号(公開出願番号):特開平8-069960
出願日: 1994年08月30日
公開日(公表日): 1996年03月12日
要約:
【要約】【目的】 無機レジストでナノメータサイズのパターン形成を行う。【構成】 電子線描画方法において、電子ビーム描画部に水素ラジカル6を照射しながら電子線描画を行う。また、無機レジストを塗布した基板3を赤外線8の照射により加熱して電子線描画を行う。無機レジストの露光中に水素ラジカルを導入することで、電子線照射位置に堆積したカーボンを炭化水素として取り除く。
請求項(抜粋):
電子線あるいはイオンビームにより無機レジスト膜を描画する無機レジスト描画装置において、無機レジスト描画部に局所的に水素ラジカルを照射する手段を有することを特徴とする無機レジスト描画装置。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G03C 1/72 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 506
FI (2件):
H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 551

前のページに戻る