特許

J-GLOBAL ID：200903026219988103

フォトマスクおよびパターン形成方法

発明者： 山口 敦美
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-189076
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021978
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 レチクル間に発生する製造誤差に起因する重ね合せ誤差を抑えることができるようにされた、フォトマスクを用いて、パターンを形成する方法に係る。【解決手段】 配線パターン3a,3bとコンタクトホールパターン2がともに描画されてなるフォトマスク1を用いる。この方法によると、レチクル間に発生する製造誤差に起因する重ね合せ誤差を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

配線パターンとコンタクトホールパターンがともに描画されてなるフォトマスク。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/90 C ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (21件)：

2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BC24 ,  2H097AA13 ,  2H097BA06 ,  2H097CA12 ,  2H097CA17 ,  2H097JA02 ,  2H097JA03 ,  2H097JA04 ,  2H097LA10 ,  5F033AA00 ,  5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA11 ,  5F033AA12 ,  5F033AA29 ,  5F033BA24 ,  5F033BA41 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28