特許

J-GLOBAL ID：200903026222996699

半導体装置の製造方法

発明者： 五嶋 秀和 ,  小林 伸好 ,  中村 吉孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150908
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017762
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】CVD法により形成される高融点金属膜の応力を低減し、膜の剥離を防止した半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】化学気相成長法によりW膜16、17等の高融点金属膜を形成する際に、この高融点金属膜の形成を複数回の成膜ステップと、成膜ステップ間の成膜休止期とに分けて行ない、各成膜ステップで形成される高融点金属膜の厚さを、膜の平均応力がゼロとなる際の膜厚に実質的に等しい膜厚とし、かつ、各成膜休止期に、成膜室内にO2等の酸化ガス、NH3等の窒化ガスを導入して高融点金属膜の表面を酸化、窒化又は酸窒化するようにした半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により高融点金属膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記高融点金属膜の形成は、複数回の成膜ステップと成膜ステップ間の成膜休止期とからなり、各成膜ステップで形成される上記高融点金属膜の厚さは、膜の平均応力がゼロとなる際の膜厚に実質的に等しい膜厚であり、かつ、各成膜休止期に、成膜室内に酸化ガス、窒化ガス又はこれらの混合ガスを導入して上記高融点金属膜の表面を酸化、窒化又は酸窒化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/3205