特許

J-GLOBAL ID：200903026226348527

半導体装置の製造方法

発明者： 浦園 丈展 ,  猪野 益充 ,  国井 正文 ,  西原 静夫 ,  林 久雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116006
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302913
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 低温プロセスで高品質の多結晶半導体薄膜を成膜する。【構成】 絶縁基板1上に形成した半導体薄膜2を活性層とする薄膜トランジスタを含む半導体装置を製造する。先ず最初に絶縁基板1に非晶質の半導体薄膜2又は比較的微小な粒径を有する多結晶の半導体薄膜2を成膜する。次に半導体薄膜2の熱アニールを行ない比較的大粒径の結晶粒を固相成長させる。続いて半導体薄膜2にレーザ光を照射して結晶粒中に残留する結晶の除去及び結晶粒間に残留する非結晶部分の結晶化を行なう。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成した半導体薄膜を活性層とする薄膜素子を含む半導体装置の製造方法において、絶縁基板に非晶質の半導体薄膜又は比較的微小な粒径を有する多結晶の半導体薄膜を成膜する工程と、該半導体薄膜のアニールを行ない比較的大粒径の結晶粒を固相成長させる工程と、該半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶粒中に残留する欠陥の除去及び/又は結晶粒間に残留する非結晶部分の結晶化を行なう工程とを有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-022540
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268469   出願人：ソニー株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-187787   出願人：ソニー株式会社