特許

J-GLOBAL ID：200903026226393042

半導体装置の絶縁層の形成方法

発明者： 朴 敏 ,  具 珍根
出願人/特許権者： 財団法人韓国電子通信研究所
代理人 (1件)： 富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287009
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236520
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】 第2絶縁膜のSOG膜に含まれる有機溶剤と水分とが急激に除去されることによる亀裂の発生を防止する半導体装置の絶縁層の形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に第1絶縁膜を形成する工程21と、第1絶縁膜の上部にSOGを回転塗布して第2絶縁膜を形成する工程22と、第2絶縁膜に含まれる溶剤成分、揮発性の有機成分および水分が除去されるように温度を順次的に上昇させながら数回の低温熱処理する工程23と、平行板プラズマ反応盧で、水素、酸化窒素、アルゴン、ヘリウムのうちのいずれかのガスを使用して200〜450°C程度の温度で、0.2〜2.0W/cm2のパワー密度の高周波)でプラズマを生成して、第2絶縁膜を硬化させる工程24と、硬化された第2絶縁膜の上部にシランガスまたはTEOSソースとするシリコン酸化膜をPECVD法により成膜して第3絶縁膜を形成する工程25とを備える。

請求項（抜粋）：

基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、上記第1絶縁膜の上部にSOG(スピンオングラス)物質を回転塗布して第2絶縁膜を形成する工程と、上記第2絶縁膜に含んだ溶剤成分、揮発性の有機成分および水分が除去されるように温度を順次的に上昇させながら数回の低温熱処理する工程と、プラズマ反応盧で、水素もしくは酸化窒素、または、アルゴンもしくはヘリウム等の不活性ガスを使用し、200〜450°C程度の温度でプラズマ処理して、上記第2絶縁膜を稠密化させるように硬化させる工程と、上記硬化された第2絶縁膜の上部にシランガスまたはTEOSソースとするシリコン酸化膜をPECVD法により成膜して第3絶縁膜を形成する工程とを備えた半導体装置の絶縁層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 P