特許
J-GLOBAL ID：200903026227024385
半導体ダイヤモンドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048715
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【目的】 ドナーやアクセプタ準位を形成する不純物元素をダイヤモンドに制御性良く導入し、p形、n形の半導体ダイヤモンドを製造する方法の提供。【構成】 ダイヤモンドあるいはダイヤモンドが薄膜状に堆積された基板素材101に対して、加速された粒子102を照射した後に、あるいは照射しながら、基板素材101に紫外線104を照射して、ダイヤモンドの損傷を回復するとともに粒子を活性化させる。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドあるいはダイヤモンドが薄膜状に堆積された基板素材に対して、加速された粒子を照射した後に、前記基板素材に紫外線を照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。
IPC (4件)：
C01B 31/06
, C30B 29/04
, H01L 21/265
, H01L 21/268
