特許
J-GLOBAL ID：200903026227231640
半導体装置の外観検査方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355965
公開番号（公開出願番号）：特開平5-172755
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：
【要約】【目的】 短時間で、かつ高精度な半導体装置の外観検査方法とその装置を提供する。【構成】 第1光学読み取り装置11にて半導体装置2の外観の全体画像を取り込み、その全体画像に基づいて高精度に測定したい部分検出領域を設定する。そして、第1光学読み取り装置11より高分解能な第2光学読み取り装置12にて部分検出領域を観察し、部分画像を取り込む。
請求項（抜粋）：
半導体装置の外観を光学的に読み取る半導体装置の外観検査方法において、前記半導体装置の外観全体を第1光学読み取り装置により検出して全体画像を得て、次いで、前記全体画像に基づいて前記半導体装置の部分検出領域を設定し、前記部分検出領域内を、前記第1光学読み取り装置より高分解能な第2光学読み取り装置により観察して部分画像を得ることを特徴とする半導体装置の外観検査方法。
IPC (3件)：
G01N 21/88
, G01B 11/24
, H01L 21/66
