特許

J-GLOBAL ID：200903026227332799

半導体装置の製造方法および絶縁膜の形成方法

発明者： 榎本 容幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204635
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035844
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜の膜剥がれを防止する。【解決手段】半導体基板1上に配線層2を形成した後、HDP-CVD法により全面にSiOF膜3を形成する。このSiOF膜3の形成を、SiOF膜3に取り込まれる水素の量が抑制される条件のもとで行う。具体的には、フッ素および酸素を含み水素を含まない原料ガスを用いて、SiOF膜3を形成する。または、SiOF膜の昇温脱離特性において水素の脱離ピークとなる温度以上の温度で、SiOF膜3を形成する。その後、TEOSガスを用いてSiO2 膜4を形成し表面平坦化を行う。密着層6を形成する前に熱処理を行い、SiOF膜3から水素を放出させる。密着層6として、Ti膜などの水素を吸蔵する作用を有する膜を成膜した後、ブランケットWCVD法によりW膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

形成時に水素が取り込まれる性質を有する絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法において、上記絶縁膜に取り込まれる水素の量が抑制される条件のもとで、上記絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (10件)：

5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02