特許
J-GLOBAL ID：200903026231146886
半導体装置のハンダバンプ形成の方法および構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321114
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 Auバンプ形成とハンダバンプ形成のプロセスラインをできる限り共用し、コストダウンを図る。【構成】 半導体チップ1の電極部にTiW薄膜4とAu薄膜5を形成し、フォトレジスト6をパターニングし、メッキAu7を堆積し、必要に応じてさらにメッキNi8を堆積し、さらに必要に応じてメッキハンダ9(Sn/Pb)を堆積する。フォトレジスト6を剥離し、Au薄膜5とTiW薄膜4の不要部分をエッチング除去した後、メッキハンダ9を球状化してハンダバンプ10を得る。
請求項（抜粋）：
フリップチップ実装に用いるバンプ付き半導体装置におけるハンダバンプの形成方法であって、ハンダメッキ工程の前にAuバンプ形成のための電解Auメッキ工程を導入することを特徴とする半導体装置のハンダバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
