多値記憶不揮発性半導体メモリの制御装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104885
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298992
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】多値記憶不揮発性半導体メモリを記憶媒体とする外部記憶装置において、多値記憶不揮発性半導体メモリセルの信頼性を向上させる制御装置を実現する。【解決手段】消去および書き込みの繰り返しによるメモリセルの劣化を抑えるために、前記1つのメモリセルにつき記憶可能なビット数よりも少ないビット数で格納するようホスト処理装置からの書き込みデータを変換する。

請求項（抜粋）：

データの書き込みと読み出しと消去を制御するマイクロコンピュータと、ホスト処理装置との間のデータ転送を制御するインタフェース装置と、不揮発性半導体メモリとの間のデータ転送を制御するインタフェース装置と、書き込みデータおよび読み出しデータを一時的に格納する記憶装置とで構成され、電気的に消去及び書き込みが可能で且つ1つのメモリセルに少なくとも2ビットの情報を記憶可能な不揮発性半導体メモリを制御する制御装置において、前記1つのメモリセルにつき記憶可能なビット数より少ないビット数で格納するようホスト処理装置からの書き込みデータを変換し、前記1つのメモリセルにつき記憶可能なビット数より少ないビット数で格納されたデータをホスト処理装置へ読み出す際は、前記データを逆変換する機能を持つ変換装置を具備したことを特徴とする制御装置。

IPC (5件)：

G11C 16/02 , G06F 12/00 542 , G06F 12/16 310 , G06K 19/07 , G11C 16/06

FI (8件)：

G11C 17/00 641 , G06F 12/00 542 K , G06F 12/16 310 A , G06K 19/00 N , G11C 17/00 601 B , G11C 17/00 601 U , G11C 17/00 611 Z , G11C 17/00 631

Fターム (24件)：

5B018GA04 , 5B018HA14 , 5B018HA23 , 5B018HA24 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B018RA11 , 5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD00 , 5B025AE01 , 5B025AE08 , 5B035AA11 , 5B035BB09 , 5B035BB11 , 5B035CA29 , 5B035CA31 , 5B082AA13 , 5B082CA05 , 5B082CA08 , 5B082FA04 , 5B082GA02 , 5B082JA08

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