特許
J-GLOBAL ID：200903026235475850
ゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ、およびデバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-070010
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224709
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】薄いシリコンウェーハであっても、あるいはSOIウェーハであっても、ゲッタリング領域を設けることができ、かつ平坦度の悪化やデバイスに有害な粒子汚染を発生させることもない、ゲッタリング能力の付与手段を提供する。【解決手段】シリコンウェーハのデバイス活性領域となる領域を有する表面のデバイス活性領域となる領域以外の部分に、溝を設けたゲッタリング領域を有することを特徴とするゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ。シリコンウェーハのデバイス活性領域となる領域を有する表面のデバイス活性領域以外の部分に溝を形成してゲッタリング領域とする工程を含む、デバイスの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハのデバイス活性領域となる領域を有する表面のデバイス活性領域となる領域以外の部分に、溝を設けたゲッタリング領域を有することを特徴とするゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/322 M
, H01L21/02 B
