特許
J-GLOBAL ID：200903026237619859
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170067
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030189
出願日： 1993年07月09日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】本発明は、内部ストライプ構造の半導体レーザ素子において、電源の極性への制約を回避できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、p-GaAs電流阻止層18とn-InGaAlPクラッド層16との間に、上記p-GaAs電流阻止層18と同じp導電型で、しかもこの層18よりも大きなバンドギャップをもつp-InGaAlPからなる光電流阻止層19を挿入する。こうして、電流阻止と光吸収との二つの作用を合わせもつ光電流阻止層19をストライプ外に設定する構造とすることで、電流阻止層の厚さ、導電型、およびキャリア濃度を任意に設定できる構成となっている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体結晶で形成される第1電極層と、この第1電極層の上に、バンドギャップがEg<SB>c1</SB>で、屈折率がn<SB>c1</SB>の第1導電型の半導体結晶で形成される第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に、バンドギャップがEg<SB>a</SB> で、屈折率がn<SB>a</SB> であって、Eg<SB>c1</SB>>Eg<SB>a</SB> かつn<SB>c1</SB><n<SB>a</SB> の第1または第2導電型の直接遷移型半導体結晶で形成される活性層と、この活性層の上に、バンドギャップがEg<SB>c2</SB>で、屈折率がn<SB>c2</SB>であって、Eg<SB>c2</SB>>Eg<SB>a</SB> かつn<SB>c2</SB><n<SB>a</SB> の第2導電型の半導体結晶で形成される第2クラッド層と、この第2クラッド層の上に、バンドギャッブがEg<SB>cb</SB>で、屈折率がn<SB>cb</SB>であって、Eg<SB>cb</SB>≦Eg<SB>a</SB> かつn<SB>cb</SB>>n<SB>c2</SB>の第1導電型の半導体結晶で形成される、ストライプ状の電流注入用開口部を有する電流阻止層と、この電流阻止層と前記第2クラッド層との間に、バンドギャップがEg<SB>ocb</SB> で、屈折率がn<SB>ocb</SB> であって、Eg<SB>ocb</SB> ≧Eg<SB>a</SB> の第1導電型の半導体結晶で形成される光電流阻止層と、前記電流阻止層、およびこの電流阻止層の前記電流注入用開口部に露出する前記第2クラッド層の上に第2導電型の半導体結晶で形成される第2電極層と、この第2電極層の上に金属で形成される第1電極と、前記第1電極層の下に金属で形成される第2電極とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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