薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306717
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115496
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】十分な移動度を有し、しかも、液晶表示装置に使用する際、画素の開口率を低下させない薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】まず、図1(A)〜(C)に示すように、透光性基板10の上に絶縁膜20および非晶質シリコン薄膜30を形成し、30を島状に加工して非晶質シリコン薄膜40とし、さらにその上にゲート絶縁膜50を形成する。つぎに、図1(D)に示すように、ゲート絶縁膜50の上に金属薄膜60および70を形成し、その上からレーザー光80を照射して非晶質シリコン薄膜40を結晶化させ、多結晶シリコン薄膜90および単結晶シリコン薄膜100とする。そして、図1(E)に示すように、金属薄膜70をエッチング等により除去して60のみを残し、これをゲート電極110として、目的の薄膜トランジスタを製造することができる。

請求項（抜粋）：

透光性基板と、その上に形成された絶縁膜と、さらにその上に島状に形成されたシリコン薄膜と、さらにその上に形成されたゲート絶縁膜と、さらにその上に形成されたゲート電極とを含み、前記シリコン薄膜は、前記ゲート電極の真下の部分が単結晶シリコンにより形成され、それ以外の部分が多結晶シリコンにより形成されており、前記ゲート電極は厚みが0を超え300nm以下である薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , G02F 1/1343 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 29/786

FI (6件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 617 J

Fターム (82件)：

2H092GA16 , 2H092GA17 , 2H092GA24 , 2H092JA24 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA02 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA18 , 2H092MA28 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA07 , 2H092NA18 , 2H092PA06 , 5C094AA13 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5C094JA20 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA04 , 5F052EA15 , 5F052FA01 , 5F052FA04 , 5F052FA22 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG45 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HM07 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP35 , 5F110QQ11

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