特許
J-GLOBAL ID：200903026238704981
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008010
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ密度の均一性を確保しつつしかもプラズマの拡散を抑制して高いプラズマ密度を確保できるプラズマ処理装置を得る。【構成】 処理容器3内にサセプタ6と上部電極32とを対向して設け、サセプタ6には第1の高周波電源41から相対的に低い周波数の高周波電力を印加し、上部電極32には第2の高周波電源44から相対的に高い周波数の高周波電力を印加する。処理容器3の外周に、絶縁体51を介して環状のアンテナ52を配置し、第3の高周波電源からの高周波電力をアンテナ52に印加させる。アンテナ52によってサセプタ6と上部電極32の対向空間の周囲に変動磁場Bが形成され、プラズマの拡散が抑制されのでプラズマ密度は高い。この高密度プラズマ中のイオンは相対的に低い周波数の高周波によって、ウエハWへの入射エネルギーがコントロールされる。
請求項（抜粋）：
2つの電極を処理容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生させて、前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対してプラズマ処理を施す処理装置であって、前記一方の電極は相対的に低い周波数の高周波電力を出力する第1の高周波電源と接続され、他方の電極は相対的に高い周波数の高周波電力を出力する第2の高周波電源と接続され、さらに高周波電力の印加によって、前記処理容器内の対向電極間領域の周囲に変動磁界を発生させて前記プラズマを閉じこめるアンテナを備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 G
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 H
