半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240623
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064255
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【解決手段】 FET3やインダクタ4、キャパシタ5等からなるMMIC2を形成されたGaAs基板1の裏面に、裏面電極10、n型半導体層11及び外側電極12からなるペルチェ素子9をモノリシックに形成する。FET3で発生した熱はペルチェ素子9の裏面電極10側で強制的に吸熱され、外側電極12側で放熱された熱は放熱板13から外部へ自然放熱される。【効果】冷却素子は半導体基板にモノリシックに設けているので、半導体装置を小型化でき、冷却効率を向上させることができ、さらにコストも安価にできる。

請求項（抜粋）：

半導体能動素子を形成された半導体基板に冷却素子を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/38 , H01L 35/16 , H01L 35/28

FI (3件)：

H01L 23/38 , H01L 35/16 , H01L 35/28 Z

前のページに戻る