特許
J-GLOBAL ID：200903026244257393
ショットキーダイオード及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-228690
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048783
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにする。【解決手段】ショットキーダイオードは、基板11の上に形成された第1の窒化物半導体層12と、第1の窒化物半導体層12の上に選択的に形成され、第1の窒化物半導体層12とは異なる導電型を有する第2の窒化物半導体層15とを備えている。第1の窒化物半導体層12の上に選択的に形成され且つ一部が第2の半導体層の上面と接するショットキー電極13と、第1の窒化物半導体層12の上にショットキー電極13と間隔をおいて形成されたオーミック電極14とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、前記第1の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第2の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が前記第2の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極と、
前記第1の窒化物半導体層の上に前記ショットキー電極と間隔をおいて形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とするショットキーダイオード。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4M104AA04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD34
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104HH20
