特許

J-GLOBAL ID：200903026247382768

高周波プラズマを用いてナノ粒子を生成するための方法および装置

発明者： コルトスハーゲン ウーヴェ ,  シムセン イライジャ ジェイ ,  マンゴリーニ ロレンツォ ,  バパット アメヤ ,  ジャースバーグ ディヴィッド
出願人/特許権者： リージェンツ・オブ・ザ・ユニヴァーシティー・オブ・ミネソタ
代理人 (5件)： 熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  平山 孝二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-516797
公開番号（公開出願番号）：特表2008-508166
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

単結晶性半導体ナノ粒子を包含する、ナノ粒子を製造するための方法並びに装置を提供する。該方法は、プリカーサ分子を含有するプリカーサガスの存在下で、制限された高周波プラズマを発生させて、ナノ粒子を形成する段階を含む。10nm以下の径を持つフォトルミネッセンス性の珪素ナノ粒子を含む、単結晶性半導体ナノ粒子を、これらの方法に従って製造することができる。

請求項（抜粋）：

コア-シェル結晶性半導体ナノ粒子の製造方法であって、該方法が以下の諸工程: 高周波プラズマ中で、半導体-含有コアプリカーサ分子を解離させて、核形成し、かつ半導体ナノ粒子に成長する、コアプリカーサ種を得る工程;および 該半導体ナノ粒子の表面上に、無機パッシベーションシェルを成長させる工程、 を含むことを特徴とする、上記方法。

IPC (10件)：

C30B 29/06 ,  C23C 16/42 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/02 ,  C01B 19/04 ,  C01B 33/029 ,  C30B 29/66 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/365

FI (10件)：

C30B29/06 504Z ,  C23C16/42 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 Z ,  C01B19/04 W ,  C01B33/029 ,  C30B29/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/365

Fターム (50件)：

4G072AA01 ,  4G072AA50 ,  4G072BB11 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH04 ,  4G072LL03 ,  4G072MM40 ,  4G072NN03 ,  4G072NN09 ,  4G072RR01 ,  4G072RR25 ,  4G072TT01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30 ,  4G077AA01 ,  4G077AB09 ,  4G077BA04 ,  4G077BE34 ,  4G077DB18 ,  4G077DB28 ,  4G077EG25 ,  4G077FH09 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA02 ,  4G077TA11 ,  4G077TB07 ,  4G077TC13 ,  4K030AA05 ,  4K030BA48 ,  4K030BB01 ,  4K030CA01 ,  4K030CA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB23 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045DP22