特許
J-GLOBAL ID：200903026257717199
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311567
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163516
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】シリケートグラス膜6と、この膜の上に位置するボロンリンシリコン酸化膜7とを貫通するコンタクトホール8をウェットエッチングしてもコンタクトホール8の側壁に逆テーパ10が形成されず、このコンタクトホール8に配線材料を確実に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】フッ酸とフッ化アンモニウムの容積比率がフッ酸/フッ化アンモニウム=1/100〜1/200であるバッファードフッ酸を用いてコンタクトホール8をウェットエッチングする。
請求項（抜粋）：
シリケートグラス膜と、該シリケートグラス膜の上に形成したホウ素および燐を含んだシリコン酸化膜とを貫通するコンタクトホールの底に生成した酸化膜を、バッファードフッ酸を用いてウェットエッチングして除去する半導体装置の製造方法において、フッ酸とフッ化アンモニウムとの容積比率がフッ酸/フッ化アンモニウム=1/100〜1/200で混合した前記バッファードフッ酸を用いて前記ウェットエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
, H01L 21/90
