特許
J-GLOBAL ID:200903026262167091
ポジ型レジスト組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-320380
公開番号(公開出願番号):特開2003-122012
出願日: 2001年10月18日
公開日(公表日): 2003年04月25日
要約:
【要約】【課題】 解像力、疎密依存性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供することにある。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により、炭素数2以上のフッ素置換スルホン酸を発生する化合物及び(B)特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により、炭素数2以上のフッ素置換スルホン酸を発生する化合物及び(B)下記一般式(1)及び(2)から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(1)中、R1は、アルキル基又は酸分解性基を表す。mは、0〜4の整数を表す。nは、0〜10の整数を表す。nが2以上の整数のとき、複数のR1は、同じでも異なっていてもよい。一般式(2)中、R2及びR3は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又は酸脱離性の保護基を表す。
IPC (9件):
G03F 7/039 601
, C08F 20/00
, C08F 24/00
, C08K 5/42
, C08L 33/00
, C08L 37/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
FI (9件):
G03F 7/039 601
, C08F 20/00
, C08F 24/00
, C08K 5/42
, C08L 33/00
, C08L 37/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
Fターム (30件):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J002BG001
, 4J002BG041
, 4J002BQ001
, 4J002EV236
, 4J002FD206
, 4J002GP00
, 4J100AJ03P
, 4J100AL69P
, 4J100AL71P
, 4J100AU29P
, 4J100BA02P
, 4J100BC02P
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
前のページに戻る