特許

J-GLOBAL ID：200903026262288026

樹脂封止半導体装置

発明者： 斎藤 淳
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277470
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107182
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 封止用樹脂に発生する応力を低減して、クラックの発生を抑制し、信頼性を向上させることにある。【解決手段】 アルミナ基板1上に形成した電極11と半導体チップ3とを半田バンプ2を介して電気的に接続し、基板1と半導体チップ3の間隙に封止用樹脂4を注入充填する。封止用樹脂周縁部41の、半導体チップ3下端面からの高さを(b)、半導体チップ3下端面と同一平面内における周縁部41の外周端縁と半導体チップ3下端縁との距離を(a)としたときに、(a/b)の平均値を2以下とすることで、発生する熱応力を低減し、クラックの発生を抑制する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した電極と半導体チップとをバンプを介して電気的に接続し、封止用樹脂により上記基板と上記半導体チップの間隙を注入充填するとともに上記半導体チップの周囲を覆うようにした樹脂封止半導体装置であって、上記半導体チップの周囲を覆う上記封止用樹脂周縁部の、上記半導体チップ下端面からの高さを(b)、上記半導体チップ下端面と同一平面内における上記周縁部の外周端縁と上記半導体チップ下端縁との距離を(a)としたときに、(a/b)の平均値が2以下であることを特徴とする樹脂封止半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/30 R