特許
J-GLOBAL ID：200903026262344830
窒化ケイ素薄膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249103
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115912
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】反応性スパッタ法により、光学特性または耐薬品性に優れ、薄膜堆積条件を制御して、形成される薄膜の内部応力を圧縮応力から引っ張り応力に調整し、フリースタンディングが可能な高品質の窒化ケイ素薄膜の作製方法を提供する。【構成】反応性スパッタ法により窒化ケイ素薄膜を作製する方法において、窒素ガスプラズマ中に所定量のクリプトンガスを導入し、形成される薄膜の内部応力が引っ張り応力となるスパッタ条件下で窒化ケイ素薄膜を堆積する工程を少なくとも含む窒化ケイ素薄膜の作製方法。【効果】LSI作製プロセスに組み込むことが可能であり、構造材料、光学材料、絶縁材料等の幅広い分野での応用が期待できる。また、マイクロマシーニングやマイクロセンシング等の分野における窒化ケイ素薄膜構造体やセンサプローブ等、またX線リソグラフィー用のマスク材料として有効である。
請求項（抜粋）：
窒素ガスプラズマ中でシリコンをスパッタリングして窒化ケイ素薄膜を形成する反応性スパッタ法により窒化ケイ素薄膜を作製する方法において、上記窒素ガスプラズマ中に所定量のクリプトンガスを導入し、形成される薄膜の内部応力が引っ張り応力となるスパッタ条件下で窒化ケイ素薄膜を堆積する工程を少なくとも含むことを特徴とする窒化ケイ素薄膜の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, H01L 21/203
