特許

J-GLOBAL ID：200903026262786840

インダクタ素子

発明者： 池田 毅 ,  中西 努
出願人/特許権者： 株式会社ティ・アイ・エフ
代理人 (1件)： 雨貝 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-321256
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162330
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 簡単にインダクタンスそのものを変更することができ、しかも容易に製造可能なインダクタ素子を提供すること。【構成】 インダクタ素子100は、半導体基板10上の隣接した位置に形成されたインダクタ導体12および制御用導体14と、これらの各渦巻き中心を通るように環状に形成された磁性体18とを含んで構成されている。制御用導体14に流すバイアス電流を変えると、磁性体18の飽和磁化特性が変化し、インダクタ導体12が有するインダクタンスが変化する。これら各導体12,14および絶縁性磁性体膜18は、薄膜形成技術等を利用して形成される。

請求項（抜粋）：

基板上にほぼ平面状に形成された渦巻き形状のインダクタ導体と、前記基板上であって前記インダクタ導体に隣接する位置にほぼ平面状で渦巻き形状に形成されており、所定の直流バイアス電流が流される制御用導体と、前記インダクタ導体と前記制御用導体の各渦巻き中心を貫通するように環状に形成された磁性体と、を備え、前記制御用導体に流す直流バイアス電流を変えることにより、前記インダクタ導体の両端に現れるインダクタンスを可変することを特徴とするインダクタ素子。

IPC (5件)：

H01F 21/08 ,  H01F 27/00 ,  H01F 17/00 ,  H01F 17/04 ,  H01F 27/32

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-175108
  
• 平面型磁気素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071986   出願人：株式会社東芝
• 特開昭59-175108